Home > News > Samsung avvia la produzione di memorie UFS 2.0 da 256 GB

Samsung avvia la produzione di memorie UFS 2.0 da 256 GB

Samsung ha appena annunciato di aver dato il via alla fabbricazione in massa delle nuove unità di massa UFS (Universal Flash Storage) 2.0 da 256GB che saranno destinate ai futuri dispositivi mobili di fascia alta. Rispetto alle memorie UFS che Samsung aveva annunciato il precedente anno, queste non solo vanno a raddoppiare il quantitativo di memoria disponibile ma anche la velocità di trasmissione. Rispetto all’attuale generazione, infatti, abbiamo un notevole incremento incremento delle velocità di lettura sequenziale, pari a ben 850MB/s, grazie all’adozione di un doppio canale di trasferimento dati. Molto interessanti anche le velocità di scrittura sequenziale, in grado di raggiungere i 260MB/s.

Grazie all’utilizzo dei nuovi chip V-NAND realizzati da Samsung, è possibile ottenere 45.000 IOPS (input/output operations per second) in lettura casuale e 40.000 IOPS in scrittura casuale, contro i rispettivi 19.000 e 14.000 IOPS che caratterizzano le memorie attualmente presenti in commercio. Stando a quanto dichiarato da Samsung, le nuove UFS 2.0 da 256GB presentano velocità di lettura mediamente doppie rispetto a quelle dei comuni SSD utilizzati su Computer, mentre le velocità di scrittura sono 3 volte più elevate di quelle delle migliori schede di memoria SD. Insomma, una memoria capiente ma non solo, pronta a rispondere alle future esigenze e che sarà in grado di ottimizzare ancora di più l’arrivo dell’USB 3.0 sugli smartphone e permetterà la trasmissione di numerosi dati in poco tempo.